Papan Inverter ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modul IGCT
Keterangan
| Pembuatan | ABB |
| Model | 5SHY4045L0001 |
| Informasi pemesanan | Nomor telepon 3BHB018162 |
| Katalog | Suku Cadang VFD |
| Keterangan | Papan Inverter ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Modul IGCT |
| Asal | Amerika Serikat (AS) |
| Kode HS | 85389091 |
| Dimensi | Ukuran 16cm*16cm*12cm |
| Berat | 0,8kg |
Rincian
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 merupakan produk thyristor komutasi gerbang terintegrasi (IGCT) dari ABB, yang termasuk dalam seri 5SHY.
IGCT adalah jenis perangkat elektronik baru yang muncul pada akhir tahun 1990-an.
Menggabungkan keunggulan IGBT (insulated gate bipolar transistor) dan GTO (gate turn-off thyristor), dan mempunyai karakteristik kecepatan switching cepat, kapasitas besar, dan daya penggerak yang dibutuhkan besar.
Secara khusus, kapasitas 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 setara dengan GTO, tetapi kecepatan pengalihannya 10 kali lebih cepat daripada GTO, yang berarti dapat menyelesaikan tindakan pengalihan dalam waktu yang lebih singkat dan dengan demikian meningkatkan efisiensi konversi daya.
Selain itu, dibandingkan dengan GTO, IGCT dapat menghemat rangkaian snubber yang besar dan rumit, yang membantu menyederhanakan desain sistem dan mengurangi biaya.
Namun, perlu dicatat bahwa meskipun IGCT memiliki banyak keunggulan, daya penggerak yang dibutuhkan masih besar.
Hal ini dapat meningkatkan konsumsi energi dan kompleksitas sistem. Selain itu, meskipun IGCT berupaya menggantikan GTO dalam aplikasi berdaya tinggi, ia masih menghadapi persaingan ketat dari perangkat baru lainnya (seperti IGBT).
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistor komutasi gerbang terintegrasi|GCT (Transistor komutasi gerbang terintegrasi) adalah perangkat semikonduktor daya baru yang digunakan dalam peralatan elektronika daya raksasa yang keluar pada tahun 1996.
IGCT merupakan piranti sakelar semikonduktor berdaya tinggi baru yang berbasis pada struktur GTO, menggunakan struktur gerbang terpadu untuk hard drive gerbang, menggunakan struktur lapisan tengah penyangga dan teknologi pemancar transparan anoda, dengan karakteristik keadaan aktif thyristor dan karakteristik pengalihan transistor.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 menggunakan struktur penyangga dan teknologi pemancar dangkal, yang mengurangi kehilangan dinamis sekitar 50%.
Selain itu, jenis peralatan ini juga mengintegrasikan dioda roda bebas dengan karakteristik dinamis yang baik pada sebuah chip, dan kemudian mewujudkan kombinasi organik dari penurunan tegangan status aktif yang rendah, tegangan pemblokiran yang tinggi, dan karakteristik peralihan yang stabil dari thyristor dengan cara yang unik.
